財(cái)聯(lián)社11月26日訊（記者 王碧微）眼下，存儲(chǔ)市場(chǎng)正面臨著AI需求持續(xù)高漲以及消費(fèi)終端市場(chǎng)萎靡?guī)?lái)的產(chǎn)品需求分化。多位企業(yè)、分析人士在近日接受財(cái)聯(lián)社記者采訪時(shí)用“冰火兩重天”來(lái)形容存儲(chǔ)市場(chǎng)目前的狀態(tài)。慧榮科技(SIMO.US)CAS業(yè)務(wù)群資深副總段喜亭向財(cái)聯(lián)社記者透露，一方面企業(yè)級(jí)產(chǎn)品需求高漲，“常常接到客戶的電話，問(wèn)我們的企業(yè)級(jí)產(chǎn)品什么時(shí)候可以出貨”；另一方面模組廠商和其下游客戶在進(jìn)行“價(jià)格戰(zhàn)”，出貨仍不暢旺。

展望后市，多位受訪者告訴記者，這樣的趨勢(shì)預(yù)計(jì)延續(xù)至明年。

TrendForce 集邦咨詢分析預(yù)計(jì)，明年傳統(tǒng)DRAM中先進(jìn)制程產(chǎn)品價(jià)格預(yù)計(jì)穩(wěn)健、成熟制程則有跌價(jià)風(fēng)險(xiǎn)；NAND企業(yè)級(jí)及消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品價(jià)格仍分化，整體價(jià)格則預(yù)計(jì)在年初下跌、年中后回暖。值得一提的是，被視作目前GPU最佳存儲(chǔ)解決方案的HBM芯片目前仍處供不應(yīng)求狀態(tài)，除三星、海力士等海外供應(yīng)商正積極擴(kuò)產(chǎn)外，國(guó)產(chǎn)玩家亦已經(jīng)“在路上”。

存儲(chǔ)市場(chǎng)陷“冰火兩重天”

2023年Q4開(kāi)始，存儲(chǔ)行業(yè)進(jìn)入強(qiáng)勢(shì)漲價(jià)周期。以DRAM為例，TrendForce 集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，從去年Q4到今年Q3，DRAM連續(xù)四個(gè)季度價(jià)格飆漲，季漲幅均超10%。

然而此次漲價(jià)主要系原廠不堪忍受虧損并非需求大幅增長(zhǎng)促進(jìn)帶來(lái)，這令本不暢旺的消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)更加低迷。

“2024年，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了‘冰火兩重天’的行情。一方面消費(fèi)電子存儲(chǔ)市場(chǎng)表現(xiàn)低迷，智能手機(jī)、筆電市場(chǎng)呈現(xiàn)出旺季不旺的景象；另一方面，AI對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)品性能提出更高要求，助推高端存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)上漲?！睍r(shí)創(chuàng)意董事長(zhǎng)倪黃忠日前在集邦咨詢存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì)上接受財(cái)聯(lián)社記者采訪時(shí)表示道。

在此情況下，下半年存儲(chǔ)原廠與模組、終端廠商的盈利能力出現(xiàn)分歧。

原廠三星電子今年Q3總營(yíng)收達(dá)79.1萬(wàn)億韓元（約573億美元），同比增長(zhǎng)17.3%，環(huán)比增長(zhǎng)7%；海力士Q3營(yíng)業(yè)收入為17.57萬(wàn)億韓元，環(huán)比增長(zhǎng)7%，同比增長(zhǎng)94%，創(chuàng)歷史新高。

另一方面，慧榮科技CAS業(yè)務(wù)群資深副總段喜亭告訴財(cái)聯(lián)社記者，“在下游需求不暢旺的情況下，很多模組廠商及很多客戶就開(kāi)始?xì)r(jià)競(jìng)爭(zhēng)，因?yàn)橄胍鲐?，所以?dǎo)致價(jià)格非常疲軟。然而即使終端價(jià)格疲軟，出貨量還不是很順暢，因?yàn)榻祪r(jià)并沒(méi)有將需求端刺激起來(lái)?！?/p>

以小米為例，今年Q3小米集團(tuán)（01810.HK）智能手機(jī)ASP由2023年第三季度的每部997.0元上漲10.6%至今年的每部1102.2元；智能手機(jī)毛利率卻由2023年第三季度的16.6%減少至2024年第三季度的11.7%?？偛帽R偉冰在財(cái)報(bào)電話會(huì)上稱，這與第三季度是內(nèi)存價(jià)格的最高峰及產(chǎn)品的發(fā)布時(shí)間和節(jié)奏有關(guān)。

因此，不少消息稱終端廠商減少存儲(chǔ)備貨。以模組等中下游環(huán)節(jié)為主的國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)商們則壓力較大，如佰維存儲(chǔ)(688525.SH)、江波龍（301308.SZ）等國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)模組廠商均在Q3出現(xiàn)了凈利潤(rùn)虧損的情況。

值得一提的是，近期存儲(chǔ)產(chǎn)品的現(xiàn)貨價(jià)格下跌嚴(yán)重，部分低容量?jī)?nèi)存條近半年多跌幅已逾40%。集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理郭祚榮告訴財(cái)聯(lián)社記者，除需求不振外，還存在一些其他因素，“近期的存儲(chǔ)現(xiàn)貨跌價(jià)嚴(yán)重，實(shí)際上與一些廠商將二手內(nèi)存條拆成顆粒，打成一般消費(fèi)型的內(nèi)存出貨有關(guān)，擾亂了整個(gè)市場(chǎng)?！?/p>

“但在企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)方面，現(xiàn)在是非?；馃幔３＝拥娇蛻舻碾娫?，問(wèn)我們什么時(shí)候可以搞定，可以出貨等等，所以目前的狀況是非常兩極化?！倍蜗餐は蜇?cái)聯(lián)社記者表示道。

根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，今年Q4，在經(jīng)歷了Q3至高20%的漲價(jià)后，企業(yè)級(jí)SSD仍預(yù)計(jì)單季增長(zhǎng)0-5%，而NAND整體的卻預(yù)計(jì)在當(dāng)季下跌3-8%。

“AI的風(fēng)還目前停留在資料中心，暫時(shí)沒(méi)有吹到終端設(shè)備上面來(lái)?！睂?duì)于這種分歧的原因，段喜亭總結(jié)道。

傳統(tǒng)產(chǎn)品分化趨勢(shì)仍延續(xù) HBM具有確定性

“我認(rèn)為明年這種分化其實(shí)還是非常嚴(yán)重的。 AI的熱度還是持續(xù)，但是價(jià)格會(huì)往下走一些；消費(fèi)類的存儲(chǔ)會(huì)回歸到一個(gè)相對(duì)健康的狀態(tài)?！蹦唿S忠說(shuō)。

傳統(tǒng)DRAM方面，集邦咨詢分析師吳雅婷表示，2025年制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應(yīng)充足、需求減弱，目前價(jià)格已呈現(xiàn)跌勢(shì)；DDR5與LPDDR5X等先進(jìn)制程產(chǎn)品的需求展望尚不明確，加上部分買賣方庫(kù)存水位偏高，價(jià)格不排除于今年第四季底開(kāi)始下跌。在此情況下，集邦咨詢預(yù)計(jì)傳統(tǒng)DRAM在明年每季下跌3-8%。

NAND方面，在今年價(jià)格整體上漲了約43~48%的情況下，集邦咨詢預(yù)計(jì)明年整體的合約價(jià)預(yù)計(jì)上漲15~20%，主要來(lái)自于企業(yè)級(jí)SSD年漲23~28%的促進(jìn)。不過(guò)，明年的漲價(jià)主要會(huì)在下半年發(fā)生，Q2之前NAND市場(chǎng)整體價(jià)格較為平穩(wěn)。

相較于傳統(tǒng)DRAM及NAND目前的尷尬處境，因AI服務(wù)器而異軍突起的HBM則仍維持強(qiáng)勢(shì)。

吳雅婷表示，目前HBM部分供應(yīng)商已完成合約價(jià)商談，預(yù)計(jì)同產(chǎn)品價(jià)格上漲10%；而HBM3e12hi的量產(chǎn)將進(jìn)一步帶動(dòng)均價(jià)上漲；整體來(lái)看，HBM的需求量增長(zhǎng)達(dá)到117%。

問(wèn)及其他存儲(chǔ)芯片在GPU等AI芯片生產(chǎn)中能否替代HBM，段喜亭直言：“放眼目前可見(jiàn)的未來(lái)，還看不到HBM的替代品”。

HBM即高帶寬存儲(chǔ)，屬于DRAM大類。其內(nèi)部由多層DRAM Die垂直堆疊，每層Die通過(guò)硅通孔（TSV）技術(shù)實(shí)現(xiàn)與邏輯Die連接，使得8層、12層Die封裝于小體積空間中，從而實(shí)現(xiàn)小尺存與高帶寬、高傳輸速度的兼容。

段喜亭解釋稱，GPU在做大語(yǔ)言模型運(yùn)算的時(shí)候，會(huì)一次性吸收巨量的數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算，提供的數(shù)據(jù)越多，其運(yùn)算效率越高，因此對(duì)于存儲(chǔ)的資料吞吐量要求很高。單顆的DRAM資料存儲(chǔ)量很低，資料吞吐量不夠，因此需要使用把DRAM 堆疊起來(lái)做成的HBM。

目前，已量產(chǎn)出貨的HBM中仍未見(jiàn)國(guó)產(chǎn)廠商身影，不過(guò)郭祚榮告訴財(cái)聯(lián)社記者，或許將在2-3年內(nèi)國(guó)產(chǎn)HBM就將有較大突破。

“之前有聽(tīng)到國(guó)內(nèi)的內(nèi)存廠開(kāi)始做HBM的消息，我覺(jué)得以國(guó)內(nèi)廠商的研發(fā)能力來(lái)說(shuō)，兩三年之內(nèi)應(yīng)該可以看到國(guó)產(chǎn)HBM開(kāi)始供貨。從工廠的技術(shù)設(shè)備等硬實(shí)力方面來(lái)說(shuō)，我覺(jué)得是足夠的。”郭祚榮告訴記者。

如長(zhǎng)江存儲(chǔ)集團(tuán)下的武漢新芯公司于今年三月發(fā)布了《高帶寬存儲(chǔ)芯粒先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)線建設(shè)》招標(biāo)項(xiàng)目，表示將利用三維集成多晶圓堆疊技術(shù)，打造更高容量、更大帶寬、更小功耗和更高生產(chǎn)效率的國(guó)產(chǎn)高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)產(chǎn)品。日前，該公司已在湖北證監(jiān)局披露IPO輔導(dǎo)備案報(bào)告，

此外，長(zhǎng)電科技（600584.SH）、芯碁微裝(688630.SH)、通富微電（002156.SZ）等封裝廠商均在布局支持HBM生產(chǎn)的相關(guān)技術(shù)。