①工業(yè)和信息化部將氟化氪光刻機(jī)與氟化氬光刻機(jī)列入電子專用設(shè)備重要位置,體現(xiàn)中國在光刻機(jī)自主研發(fā)領(lǐng)域取得的重大進(jìn)展。 ②目前最先進(jìn)的EUV光刻技術(shù)應(yīng)用于2nm制程節(jié)點(diǎn)的芯片量產(chǎn),仍在持續(xù)優(yōu)化中,并探索成本較低的下一代光刻技術(shù)。
光刻機(jī)作為重大技術(shù)裝備領(lǐng)域的國之重器,不僅是衡量一個(gè)國家綜合國力與科技水平的關(guān)鍵指標(biāo),還直接關(guān)系到國家安全和科技自主可控的未來。然而,其研制之路卻異常艱難,充滿了重重挑戰(zhàn)。近期,工業(yè)和信息化部發(fā)布的《首臺(tái)(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄(2024年版)》中,特別將氟化氪光刻機(jī)與氟化氬光刻機(jī)列入了電子專用設(shè)備的重要位置,這一舉措不僅體現(xiàn)了中國在光刻機(jī)自主研發(fā)領(lǐng)域取得的重大進(jìn)展,更引發(fā)了公眾對(duì)光刻機(jī)研制難度和挑戰(zhàn)的關(guān)注。
光刻機(jī)的工作原理和歷史演進(jìn)
當(dāng)今社會(huì)生活中,集成電路幾乎無處不在,小到身份證、手機(jī),大到高鐵、飛機(jī),都離不開集成電路。集成電路自誕生至今,一直向著微細(xì)化的方向發(fā)展,單個(gè)芯片上的晶體管數(shù)量已經(jīng)由最初的幾十個(gè)發(fā)展到現(xiàn)在的幾千億個(gè)。
集成電路制造的核心工序是利用光刻機(jī)在硅片上構(gòu)建電路圖案。光刻過程決定了集成電路芯片上電子元件的尺寸和位置。從1961年至今,為了滿足集成電路制造的需求,人們研發(fā)出了多種類型的光刻機(jī)。按照曝光方式來分,光刻機(jī)可以分為接觸式、接近式和投影式。接觸式和接近式光刻機(jī)的極限分辨率均停留在微米量級(jí),難以滿足日益減小的芯片特征尺寸的需求。投影式光刻機(jī)是目前的主流光刻機(jī),當(dāng)今最先進(jìn)的極紫外(EUV)光刻機(jī)就屬于投影式光刻機(jī)。
投影式光刻機(jī)由多個(gè)分系統(tǒng)組成,包括光源、照明系統(tǒng)、投影物鏡系統(tǒng)、掩模臺(tái)與掩模傳輸系統(tǒng)、工件臺(tái)與硅片傳輸系統(tǒng)、對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)、環(huán)境控制系統(tǒng)等。這類光刻機(jī)本質(zhì)上是一種復(fù)雜的投影系統(tǒng):光源通過照明系統(tǒng)均勻照明放置在掩模臺(tái)上的掩模版,掩模版上制作有預(yù)先設(shè)計(jì)好的集成電路圖案,該圖案通過投影物鏡系統(tǒng)投影到工件臺(tái)上涂有光刻膠的硅片,完成一次曝光。之后,工件臺(tái)移動(dòng)硅片,再進(jìn)行另一次曝光。
提高光刻分辨率是光刻機(jī)演進(jìn)的主線,極大地推動(dòng)了集成電路制程節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步。研究人員通過采用更短波長的光源來提高投影式光刻機(jī)的分辨率,依次發(fā)展出了紫外(UV)光刻機(jī)、深紫外(DUV)光刻機(jī)和EUV光刻機(jī)。
UV光刻機(jī)最早采用波長為436nm的高壓汞燈光源,隨著技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,光源波長縮短至365nm,可以支持250nm以上制程節(jié)點(diǎn)的芯片生產(chǎn)。之后,光刻技術(shù)開始向DUV波段光源發(fā)展:1995年,日本Nikon公司首次采用了248nm波長的氟化氪(KrF)準(zhǔn)分子激光器作為光刻機(jī)光源,該類光刻機(jī)將制程節(jié)點(diǎn)推進(jìn)到180—130nm;到了1999年,Nikon、ASML和Canon等主要光刻設(shè)備制造商推出了采用193nm波長的氟化氬(ArF)準(zhǔn)分子激光器作為光源的光刻機(jī),這使得制程節(jié)點(diǎn)進(jìn)一步縮小至130—65nm。在193nm光源作為主流光刻機(jī)光源的很長一段時(shí)間內(nèi),各光刻設(shè)備制造商主要通過增大投影物鏡的數(shù)值孔徑(NA)來提高光刻分辨率,NA最高達(dá)到了0.93。直到2004年,ASML推出了首款商用浸沒式光刻機(jī),該光刻機(jī)的技術(shù)創(chuàng)新是在鏡頭與硅片之間引入去離子水作為介質(zhì),使得投影物鏡的NA最高達(dá)到1.35,再結(jié)合多重圖形等技術(shù)可實(shí)現(xiàn)7nm的制程節(jié)點(diǎn)。為了進(jìn)一步減小光源波長,提高光刻分辨率,經(jīng)過30年左右的研發(fā),光源波長為13.5nm的EUV光刻機(jī)終于在2017年投入工業(yè)化生產(chǎn),標(biāo)志著光刻技術(shù)的又一重大突破。目前,僅有ASML公司能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī),該類光刻機(jī)最高能夠支持2nm的制程節(jié)點(diǎn)。
光刻技術(shù)研發(fā)的難點(diǎn)與挑戰(zhàn)
光刻機(jī),被譽(yù)為集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上的“皇冠上的明珠”,是人類迄今為止所能制造的最精密裝備之一,其研發(fā)過程不僅技術(shù)難度極高,還面臨著多方面的挑戰(zhàn)。技術(shù)方面,光刻機(jī)涉及光學(xué)、材料科學(xué)、機(jī)械工程等多領(lǐng)域尖端科技,需跨學(xué)科團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新。合作方面,因技術(shù)復(fù)雜,需多領(lǐng)域科研機(jī)構(gòu)與企業(yè)緊密合作,共同解決難題,并建立有效溝通協(xié)作機(jī)制。資金方面,從研發(fā)到生產(chǎn),光刻機(jī)項(xiàng)目需長期巨額投入。
以EUV光刻機(jī)為例,從EUV光刻技術(shù)提出到正式投入工業(yè)化生產(chǎn),研究人員花費(fèi)了30年左右的時(shí)間。20世紀(jì)80年代人們開始探索EUV光刻技術(shù),并在80年代末首次驗(yàn)證了這項(xiàng)技術(shù)的可行性。但由于高昂的經(jīng)濟(jì)以及時(shí)間成本,只有ASML與其合作伙伴繼續(xù)致力于開發(fā)可用于工業(yè)化量產(chǎn)的EUV光刻機(jī)。2010年,ASML交付了第一臺(tái)EUV光刻機(jī)原型機(jī)。從2012年至2016年,ASML先后完成了對(duì)先進(jìn)光源制造商Cymer、電子束計(jì)量工具領(lǐng)先供應(yīng)商HMI等高科技企業(yè)的收購,并于2017年交付了第一臺(tái)可用于工業(yè)化量產(chǎn)的EUV光刻機(jī)NXE:3400。目前,ASML持續(xù)與ZEISS、IMEC、Intel等多家先進(jìn)科技企業(yè)以及全球超過180所高校、科研機(jī)構(gòu)合作推進(jìn)光刻技術(shù)的發(fā)展。據(jù)2023年ASML的財(cái)務(wù)年報(bào),該公司在研發(fā)方面的投資從2022年的33億歐元增至2023年的40億歐元。在過去的17年中,該公司僅在EUV光刻方向的研發(fā)投資就超過了60億歐元。
光源是光刻機(jī)的核心部件之一。光刻機(jī)對(duì)光源的工作波長、功率、轉(zhuǎn)換效率以及壽命等參數(shù)均有著嚴(yán)格的要求。以目前唯一商用的EUV光刻機(jī)為例,該光刻機(jī)采用激光等離子體(LPP)光源,為了獲得高轉(zhuǎn)換效率和長壽命,需要在光源內(nèi)部進(jìn)行極其精確的激光打靶:液滴發(fā)生器產(chǎn)生直徑20—30μm的錫液滴,其運(yùn)動(dòng)速度可達(dá)到80m/s,相當(dāng)于復(fù)興號(hào)高鐵的速度;先利用一束預(yù)脈沖激光將高速運(yùn)動(dòng)的錫液滴打成餅狀的靶材,然后再利用另一束主脈沖激光轟擊靶材,將靶材轉(zhuǎn)化為等離子體的同時(shí)放射出EUV光,這一雙脈沖的打靶過程需要在百萬分之幾秒內(nèi)完美地配合完成。因此,需要一套精準(zhǔn)的測量及控制系統(tǒng),能夠進(jìn)行高速、高精度的測量與打靶控制,方可滿足工業(yè)化量產(chǎn)的需求。
光刻機(jī)的投影物鏡系統(tǒng)是成像光學(xué)的最高境界,其波像差需要達(dá)到納米甚至亞納米量級(jí),這對(duì)投影物鏡的鏡片級(jí)加工與檢測,以及系統(tǒng)級(jí)的檢測與裝調(diào)等都提出了嚴(yán)苛的要求。以EUV光刻機(jī)為例,為確保成像性能,投影物鏡的鏡面必須以極高的精度進(jìn)行加工:在ASML公司最先進(jìn)的高NA EUV光刻投影物鏡系統(tǒng)中,口徑1.2m的反射鏡表面需要加工到面形均方根誤差小于0.02nm,相當(dāng)于在中國國土面積內(nèi)僅有人類頭發(fā)絲直徑大小的高度起伏。
光刻機(jī)的機(jī)械系統(tǒng)設(shè)計(jì)巧妙地融合了穩(wěn)定性與高效能的雙重需求。以EUV光刻機(jī)為例,工件臺(tái)的運(yùn)動(dòng)速度可達(dá)5m/s,并且工件臺(tái)和掩模臺(tái)需要高速同步運(yùn)動(dòng),同步運(yùn)動(dòng)誤差的平均值需要小于0.5nm,相當(dāng)于兩架以時(shí)速1000km飛行的飛機(jī),相對(duì)位置偏差的平均值控制在0.03μm(人類頭發(fā)絲直徑的幾千分之一)以內(nèi)。工件臺(tái)還需具備驚人的加速度——達(dá)到7倍重力加速度(7g),這一性能確保了硅片能在極短時(shí)間內(nèi)迅速定位至預(yù)定位置。
掩模版作為光刻系統(tǒng)圖像信息的來源,其制備過程中形成的臟污、刮傷、圖形異常等缺陷均會(huì)改變掩模的光學(xué)特性,從而影響成像質(zhì)量,降低芯片成品率。由于光刻掩模版制備要求高、工藝難度大且需要根據(jù)光刻技術(shù)的發(fā)展而更迭,長期的技術(shù)積累與充足的研發(fā)資金均不可或缺。國際領(lǐng)先的掩模版制造商Toppan一直致力于掩模版業(yè)務(wù),其于2005年收購了杜邦光掩模公司,并于同年開始與IBM、格羅方德半導(dǎo)體、三星聯(lián)合開發(fā)高端掩模版技術(shù),從最初的45nm制程節(jié)點(diǎn)發(fā)展至目前的2nm制程節(jié)點(diǎn)。
涂覆于硅片上的光刻膠與電子器件的性能和良品率直接相關(guān),也是隨著光刻技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展的。在從DUV光刻向EUV光刻過渡的過程中,研究人員遇到了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),即在相同條件下,光刻膠吸收的EUV光子數(shù)量僅為DUV193nm波長的1/14。這就要求要么在EUV波段創(chuàng)造出極強(qiáng)的光源,要么發(fā)明更靈敏的光刻膠。考慮到進(jìn)一步提高EUV光源的功率極具挑戰(zhàn)性,為彌補(bǔ)光刻膠對(duì)EUV光子的低吸收率,EUV光刻膠需要具有不同于前幾代光刻膠的獨(dú)特性能。經(jīng)過JSR、Inpria、LamResearch等EUV光刻膠領(lǐng)先供應(yīng)商的多年持續(xù)研發(fā),實(shí)現(xiàn)了EUV光刻膠靈敏度與分辨率的突破,方使得EUV光刻在2018年進(jìn)入7nm及以下制程節(jié)點(diǎn)的大規(guī)模量產(chǎn)。
光刻技術(shù)的發(fā)展趨勢
目前,最先進(jìn)的EUV光刻技術(shù)已被應(yīng)用于2nm制程節(jié)點(diǎn)的芯片量產(chǎn),并且仍在持續(xù)優(yōu)化中。為了不斷逼近EUV光刻技術(shù)的理論分辨率極限,并確保光刻機(jī)具備可靠的系統(tǒng)性能,還需要繼續(xù)深入研究如何有效管理提高光源功率所帶來的熱效應(yīng),同時(shí)開發(fā)邊緣粗糙度更低且能保證特征尺寸精確控制與良好附著力的EUV光刻膠。此外,減少光源內(nèi)部的碎片污染以延長收集鏡的使用壽命,以及降低曝光過程中污染物附著在掩模上的概率,也是當(dāng)前重要的研究課題。
在EUV光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的同時(shí),許多研發(fā)機(jī)構(gòu)也在嘗試研發(fā)納米壓印以及定向自組裝(DSA)等成本相對(duì)較低的下一代光刻技術(shù)。針對(duì)這些新興的光刻技術(shù),需要重點(diǎn)研究新型材料的集成應(yīng)用、立體圖形化工藝的開發(fā),以及以實(shí)際應(yīng)用需求為導(dǎo)向的圖形設(shè)計(jì)。
作者系中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所研究員 李中梁