財聯(lián)社1月15日電，據(jù)發(fā)表在《科學(xué)》雜志上的一項最新研究，美國斯坦福大學(xué)研究人員首次發(fā)現(xiàn)一種非晶體材料磷化鈮，在制造芯片上的超薄線路時，只有幾個原子厚的磷化鈮薄膜導(dǎo)電能力比銅更好。此外，這種薄膜可在較低溫度下沉積生產(chǎn)，與現(xiàn)代計算機(jī)芯片相兼容。這種新材料在未來的納米電子學(xué)領(lǐng)域極具潛力，有望帶來功能更強(qiáng)、更節(jié)能的電子產(chǎn)品，幫助解決當(dāng)前電子產(chǎn)品中的電力和能耗問題。