財聯(lián)社10月27日訊，《廣州開發(fā)區(qū) 廣州市黃埔區(qū)促進集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展辦法》今日印發(fā)。其中提出，鼓勵發(fā)展大硅片、光掩膜、電子氣體、光刻膠、拋光材料、高純靶材、光芯片等高端半導(dǎo)體制造材料，支持清洗設(shè)備、光刻機、刻蝕設(shè)備、離子注入、沉積設(shè)備、封裝設(shè)備（劃片機、減薄機、引線鍵合機、倒裝鍵合機及貼片機等）、檢測設(shè)備（測試機、探針臺等）以及單晶生長爐、外延生長爐等設(shè)備、關(guān)鍵零部件及工具國產(chǎn)化替代。

對當年產(chǎn)值首次達到2000萬元、5000萬元、1億元、3億元、5億元、10億元的集成電路裝備、材料、零部件類企業(yè)，經(jīng)認定，分別給予20萬元、50萬元、100萬元、200萬元、300萬元、500萬元的扶持，同一企業(yè)按差額補足方式最高扶持500萬元。

廣州市黃埔區(qū)工業(yè)和信息化局 廣州開發(fā)區(qū)經(jīng)濟和信息化局關(guān)于印發(fā)廣州開發(fā)區(qū) 廣州市黃埔區(qū)促進集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展辦法的通知

區(qū)各有關(guān)單位：

《廣州開發(fā)區(qū) 廣州市黃埔區(qū)促進集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展辦法》業(yè)經(jīng)廣州開發(fā)區(qū)管委會、黃埔區(qū)政府同意，現(xiàn)印發(fā)實施。執(zhí)行過程中如遇問題，請徑向區(qū)工業(yè)和信息化局反映。

特此通知。

廣州市黃埔區(qū)工業(yè)和信息化局 廣州開發(fā)區(qū)經(jīng)濟和信息化局

2023年10月27日

廣州開發(fā)區(qū) 廣州市黃埔區(qū)促進集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展辦法

第一條【目的】為深入貫徹習(xí)近平總書記關(guān)于“要聚焦集成電路等重點領(lǐng)域，加快鍛造長板、補齊短板，培育一批具有國際競爭力的大企業(yè)和具有產(chǎn)業(yè)鏈控制力的生態(tài)主導(dǎo)型企業(yè)，構(gòu)建自主可控產(chǎn)業(yè)生態(tài)”的重要指示精神，大力實施“廣東強芯”工程、“制造強市”以及黃埔區(qū)“四個萬億”計劃。根據(jù)《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》（國發(fā)〔2020〕8號）、《廣東省培育半導(dǎo)體及集成電路戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群行動計劃（2021-2025年）》（粵發(fā)改產(chǎn)業(yè)〔2020〕338號）、《廣州市加快發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的若干措施》（穗工信規(guī)字〔2020〕4號》等文件精神，結(jié)合本區(qū)實際，助力打造中國集成電路第三極核心承載區(qū)，制定本辦法。

第二條【適用范圍】本辦法適用于注冊登記地、稅務(wù)征管關(guān)系及統(tǒng)計關(guān)系在廣州開發(fā)區(qū)、廣州市黃埔區(qū)及其受托管理和下轄園區(qū)（以下簡稱本區(qū)）范圍內(nèi)，有健全財務(wù)制度、具有獨立法人資格（單獨入統(tǒng)的分公司視同具有獨立法人資格）、實行獨立核算、符合信用管理相關(guān)規(guī)定的集成電路企業(yè)。

本辦法所稱的集成電路企業(yè)是指專門從事集成電路設(shè)計、芯片架構(gòu)設(shè)計、EDA及IP開發(fā)設(shè)計、生產(chǎn)、先進封裝測試、裝備、材料和零部件等經(jīng)營活動的相關(guān)企業(yè)。

第三條【推進產(chǎn)業(yè)鏈強化優(yōu)化】在CPU（中央處理器）、GPU（圖形處理器）、MCU（微處理器）、FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）、存儲、AI算法等高端數(shù)字芯片，電源管理、顯示驅(qū)動、射頻通信、光通信、ADC/DAC（模數(shù)轉(zhuǎn)換）等高端模擬芯片等領(lǐng)域，培育和引進一批具有自主知識產(chǎn)權(quán)和行業(yè)影響力的高端芯片設(shè)計企業(yè)。對當年主營業(yè)務(wù)收入首次達到2000萬元、5000萬元、1億元、3億元、5億元、10億元的集成電路設(shè)計企業(yè)，經(jīng)認定，分別給予20萬元、50萬元、100萬元、200萬元、300萬元、500萬元的扶持，同一企業(yè)按差額補足方式最高扶持500萬元。

鼓勵企業(yè)自主開展基于新器件、新材料、新工藝的ARM、X86及RISC-V芯片架構(gòu)、EDA及IP研發(fā)設(shè)計。對當年主營業(yè)務(wù)收入首次達到2000萬元、5000萬元、1億元、3億元、5億元、10億元的集成電路ARM、X86及RISC-V芯片架構(gòu)、EDA及IP研發(fā)設(shè)計企業(yè)，經(jīng)認定，分別給予20萬元、50萬元、100萬元、200萬元、300萬元、500萬元的扶持，同一企業(yè)按差額補足方式最高扶持500萬元。

對主營業(yè)務(wù)收入連續(xù)兩年均1億元以上，且第二年主營業(yè)務(wù)收入同比增長30%及以上但尚未達到下一檔扶持條件的集成電路設(shè)計企業(yè)、ARM、X86及RISC-V芯片架構(gòu)、EDA及IP研發(fā)設(shè)計企業(yè)，經(jīng)認定，給予20萬元的扶持，享受本款扶持后企業(yè)達到下一檔扶持條件的，按差額補足方式給予下一檔扶持。

鼓勵發(fā)展大硅片、光掩膜、電子氣體、光刻膠、拋光材料、高純靶材、光芯片等高端半導(dǎo)體制造材料，支持清洗設(shè)備、光刻機、刻蝕設(shè)備、離子注入、沉積設(shè)備、封裝設(shè)備（劃片機、減薄機、引線鍵合機、倒裝鍵合機及貼片機等）、檢測設(shè)備（測試機、探針臺等）以及單晶生長爐、外延生長爐等設(shè)備、關(guān)鍵零部件及工具國產(chǎn)化替代。對當年產(chǎn)值首次達到2000萬元、5000萬元、1億元、3億元、5億元、10億元的集成電路裝備、材料、零部件類企業(yè)，經(jīng)認定，分別給予20萬元、50萬元、100萬元、200萬元、300萬元、500萬元的扶持，同一企業(yè)按差額補足方式最高扶持500萬元。

支持12英寸先進SOI工藝研發(fā)，建設(shè)FD-SOI（全耗盡絕緣體上硅）工藝研發(fā)線、RF-SOI（射頻絕緣體上硅）工藝生產(chǎn)線、半導(dǎo)體激光器工藝研發(fā)線和生產(chǎn)線，布局碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體襯底、外延片等產(chǎn)線。對當年產(chǎn)值首次達到5億元、10億元、20億元的集成電路生產(chǎn)企業(yè)，經(jīng)認定，分別給予100萬元、200萬元、400萬元的扶持，同一企業(yè)按差額補足方式最高扶持400萬元。

建設(shè)系統(tǒng)級封裝、晶圓級封裝等高端封裝技術(shù)生產(chǎn)線，支持開發(fā)2.5D/3D異質(zhì)集成、chiplet（芯粒）等先進封裝技術(shù)。對當年產(chǎn)值首次達到1億元、3億元、5億元、10億元的集成電路先進封裝測試企業(yè)，經(jīng)認定，分別給予50萬元、100萬元、200萬元、300萬元的扶持，同一企業(yè)按差額補足方式最高扶持300萬元。（責(zé)任單位：區(qū)工業(yè)和信息化局）

第四條【突破產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心技術(shù)】對企業(yè)研發(fā)多項目晶圓（MPW）直接費用、購買光罩（MASK）直接費用和工程片、試流片加工費用的40%給予補貼（相關(guān)費用按照不含稅計算），每家企業(yè)每年累計最高補貼500萬元。（責(zé)任單位：區(qū)科技局）

對企業(yè)專業(yè)從事ARM、X86及RISC-V芯片架構(gòu)、EDA及IP開發(fā)設(shè)計的，對加計扣除后的研發(fā)費用按30%的比例給予扶持，每家企業(yè)每年累計最高補貼500萬元。（責(zé)任單位：區(qū)工業(yè)和信息化局）

第五條【支持國產(chǎn)化自主創(chuàng)新】對區(qū)內(nèi)集成電路企業(yè)自行采購符合要求的非關(guān)聯(lián)集成電路企業(yè)或機構(gòu)自主研發(fā)設(shè)計的光刻、沉積、刻蝕、量測四類設(shè)備，且新購置單臺（套）設(shè)備價值超過500萬元的，經(jīng)認定，每單給予25萬元補貼，每家企業(yè)每年最高補貼50萬元。

對區(qū)內(nèi)集成電路企業(yè)自行采購符合要求的非關(guān)聯(lián)集成電路企業(yè)或機構(gòu)自主研發(fā)設(shè)計的EDA工具及IP授權(quán)，且年采購金額累計50萬元以上的，經(jīng)認定，按其當年實際采購金額的10%給予補貼，每家企業(yè)每年最高補貼50萬元。（責(zé)任單位：區(qū)工業(yè)和信息化局）

第六條【加大投早投小投科技力度】鼓勵國企基金重點圍繞我區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)，聚焦產(chǎn)業(yè)鏈、創(chuàng)新鏈的關(guān)鍵環(huán)節(jié)、薄弱環(huán)節(jié)，著眼關(guān)鍵共性技術(shù)、前沿引領(lǐng)技術(shù)和顛覆性技術(shù)突破，加大投資布局，充分發(fā)揮基金投資的資金支持、招商帶動作用，吸引集聚優(yōu)質(zhì)科技型集成電路領(lǐng)域中小企業(yè)落戶。（責(zé)任單位：各區(qū)屬國企）

對積極投向區(qū)內(nèi)科技型集成電路中小企業(yè)的國企基金予以大力支持。（責(zé)任單位：區(qū)國資局）

第七條【強化基礎(chǔ)設(shè)施保障】對于集成電路重大戰(zhàn)略性項目，其用地、籌建、供電、供水、排污等基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)問題，由所在街道、管委會，行業(yè)主管部門以及相關(guān)職能部門和單位綜合研究依法給予大力保障。

第八條【打造人才高地】加強對集成電路人才的扶持力度，對符合我區(qū)人才標準的集成電路人才，按照相關(guān)人才政策措施給予大力支持。

第九條【重點扶持】對地方產(chǎn)業(yè)生態(tài)集聚帶動性強、貢獻性大的集成電路領(lǐng)域重大戰(zhàn)略項目，經(jīng)管委會、區(qū)政府同意，另行予以重點扶持。

第十條【附則】符合本辦法規(guī)定的同一項目、同一事項同時符合本區(qū)其他扶持政策規(guī)定（含上級部門要求區(qū)里配套或負擔(dān)資金的政策規(guī)定）的，按照從高不重復(fù)的原則予以支持，另有規(guī)定的除外。本辦法條款所涉及的金額均不含稅，獲得扶持的涉稅支出由企業(yè)或個人承擔(dān)。區(qū)內(nèi)企業(yè)新設(shè)分支機構(gòu)、變更名稱、分拆業(yè)務(wù)等不屬于本政策辦法扶持范疇。本辦法所涉及的財政資金?？顚Ｓ茫髫?zé)任單位適時制定實施細則，且實施細則范圍應(yīng)結(jié)合我區(qū)工作重點予以確定，具體內(nèi)容以當年發(fā)布的申報指南為準。其中，相關(guān)扶持獎勵補貼的比例和限額均為上限數(shù)額，并且其比例和金額受年度資金預(yù)算總量控制。

本辦法自印發(fā)之日起實施，有效期3年。