《科創(chuàng)板日報》3月19日訊（編輯 宋子喬） 在今天的英偉達GTC 2024大會上，英偉達CEO黃仁勛宣布推出新一代GPU Blackwell，第一款Blackwell芯片名為GB200，將于今年晚些時候上市。

作為英偉達唯一HBM3供應商，SK海力士隨即發(fā)布新聞稿，宣布已開始量產(chǎn)高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品HBM3E，將從3月下旬起向客戶供貨。七個月前，該公司公布了HBM3E開發(fā)成功的消息。

SK海力士HBM3E

據(jù)路透最新報道，消息人士稱首批出貨量將交付給英偉達。有分析師表示，SK海力士的HBM產(chǎn)能在2024年已被預訂滿，因為人工智能芯片的爆炸性需求推動了高端存儲芯片的需求。IBK Investment & Securities分析師Kim Un-ho表示：“SK海力士已經(jīng)占據(jù)了絕對的市場地位……其高端存儲芯片的銷量增長預計也將是芯片制造商中最為積極的。”

HBM（高速寬帶存儲器）是面向AI的超高性能DRAM產(chǎn)品，也是當下存儲廠商的競爭焦點，該存儲器供應市場由SK海力士（53%）、三星（38%）和美光（9%）三大存儲巨頭主導。

通過垂直連接多個DRAM，HBM可顯著提升數(shù)據(jù)處理速度，實現(xiàn)小體積、高帶寬和高速傳輸，滿足高性能AI服務(wù)器GPU需求。HBM DRAM產(chǎn)品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發(fā)。HBM3E是HBM3的擴展（Extended）版本，為當下最強大的HBM產(chǎn)品。

在HBM最新產(chǎn)品的競逐賽中，SK海力士再次奪得先機，是首家實現(xiàn)量產(chǎn)HBM3E的供應商。SK海力士在聲明中表示：“公司預計HBM3E能夠成功量產(chǎn)，憑借作為業(yè)界首家HBM3供應商的經(jīng)驗，我們希望鞏固我們在人工智能內(nèi)存領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。”

SK海力士推出的HBM3E芯片有何性能優(yōu)勢？

據(jù)該公司介紹，SK海力士采用了先進的MR-MUF（Molding with Rubberand UFP）技術(shù)，使得HBM3E的散熱性能比上一代產(chǎn)品提高10%。這種技術(shù)通過在半導體芯片堆疊后的空間中注入液體形態(tài)的保護材料并進行固化，與每堆疊一個芯片時鋪上薄膜型材料的方式相較，工藝效率更高，散熱方面也更加有效；

其HBM3E的最高數(shù)據(jù)處理速度可達每秒1.18TB（太字節(jié)），這意味著它能夠在極短的時間內(nèi)處理大量數(shù)據(jù)。相當于在1秒內(nèi)處理230部全高清（FHD）級別的電影；

另外，其HBM3E提供高達8Gbps的傳輸速度，這是相較于前一代HBM3的顯著提升。這種高速度對于需要快速數(shù)據(jù)處理的應用場景，如高性能計算和人工智能，尤為重要。

值得注意的是，HBM3E領(lǐng)域，美光、三星緊追不舍，這兩家公司均表示已開始批量生產(chǎn)該款芯片。其中，美光計劃在2024年第二季度開始出貨，其HBM3E將用于英偉達的H200 Tensor Core GPU；三星已開發(fā)出業(yè)界首款12棧HBM3E芯片，并開始向客戶提供樣品，預計今年上半年量產(chǎn)。