《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》5月10日訊（記者 陳美） 近日，北一半導(dǎo)體完成1.5億元B+輪融資，其所在的（碳化硅）MOSFET領(lǐng)域也得到資本關(guān)注。

財(cái)聯(lián)社創(chuàng)投通數(shù)據(jù)顯示，以“第三代半導(dǎo)體材料碳化硅”為關(guān)鍵詞，相關(guān)機(jī)構(gòu)調(diào)研次數(shù)超過(guò)100次。其中，“SiC”在電動(dòng)車領(lǐng)域的滲透率以及規(guī)模提升，和相關(guān)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、市占率情況為機(jī)構(gòu)關(guān)注的焦點(diǎn)。

在此背景之下，MOSFET作為SiC（碳化硅）領(lǐng)域的重要產(chǎn)品之一，一級(jí)市場(chǎng)中也較為“吸金”。

來(lái)自邊陲小城，創(chuàng)始人在韓國(guó)三星工作21年

財(cái)聯(lián)社創(chuàng)投通-執(zhí)中數(shù)據(jù)顯示，北一半導(dǎo)體成立于2020年，與其他半導(dǎo)體公司扎根長(zhǎng)三角不同，北一半導(dǎo)體來(lái)自邊陲小城穆棱，后者隸屬于黑龍江省牡丹江市。

北一半導(dǎo)體創(chuàng)始人金明星是一位典型的返鄉(xiāng)創(chuàng)業(yè)企業(yè)家。從小生活在穆棱的金明星，很早進(jìn)入到韓國(guó)三星工作。21年時(shí)間，金明星積累了大量芯片技術(shù)、工藝流程、管理模式等經(jīng)驗(yàn)，于是，2017年金明星最終選擇創(chuàng)業(yè)，將研發(fā)基地選在深圳，將生產(chǎn)基地落戶穆棱。

或許是將研發(fā)基地落在深圳的緣由，前輪融資中，北一半導(dǎo)體獲得了基石資本、金鼎資本、中金資本、聯(lián)通中金的關(guān)注，完成超1.5億人民幣B輪融資，該輪融資金額計(jì)劃加速公司產(chǎn)線擴(kuò)建、產(chǎn)品研發(fā)、團(tuán)隊(duì)擴(kuò)建以及市場(chǎng)拓展等。

1.5億元B+輪融資中，上海吾同私募領(lǐng)投1億元。這是一家成立于2007年的私募股權(quán)基金，領(lǐng)投金額已經(jīng)到位。相較于上一輪融資，B+輪融資資金主要用于碳化硅MOSFET的技術(shù)研發(fā)，以及產(chǎn)線升級(jí)與擴(kuò)建。

《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者注意到，兩輪融資都與“產(chǎn)線擴(kuò)建”有關(guān)，在技術(shù)上，北一半導(dǎo)體也從IGBT模組轉(zhuǎn)移到碳化硅MOSFET上。

一位新能源領(lǐng)域投資人告訴《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者，“相較于IGBT，碳化硅MOSFET具有更快開關(guān)速度、更低導(dǎo)通損耗、更小開關(guān)損耗的特點(diǎn)，這使得碳化硅MOSFET在高頻應(yīng)用中更為高效。但從價(jià)格上看，高性能的碳化硅MOSFET價(jià)格也高于IGBT。”

“在應(yīng)用上，目前高性能的碳化硅MOSFET已逐漸替代IGBT；而IGBT本省需要通過(guò)技術(shù)進(jìn)步，來(lái)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和工藝，提高性能以適應(yīng)需求的變化?！?/p>

今年一季度，被三大QFII持倉(cāng)的芯聯(lián)集成（688469）表示，碳化硅業(yè)務(wù)將對(duì)公司營(yíng)收產(chǎn)生更大作用，2023年該業(yè)務(wù)已實(shí)現(xiàn)超3億元以上營(yíng)收貢獻(xiàn)。截至今年2月，碳化硅MOSFET批量使用在新能源汽車的主驅(qū)逆變器上，預(yù)計(jì)2024年碳化硅業(yè)務(wù)營(yíng)收將超10億元，有望在全球達(dá)到30%的市場(chǎng)占有率。

特斯拉曾宣布每輛車減少75%碳化硅使用量

財(cái)聯(lián)社創(chuàng)投通-執(zhí)中數(shù)據(jù)顯示，以碳化硅為標(biāo)簽，今年以來(lái)有17筆融資，去年該賽道融資事件達(dá)到70件。其中，有知名企業(yè)清純半導(dǎo)體數(shù)億元Pre-B融資；數(shù)億元超芯星的C輪融資；同光股份的15億元F輪融資……投資機(jī)構(gòu)方面，深創(chuàng)投、毅達(dá)資本、建信投資、晨道資本、元禾原點(diǎn)等都紛紛下場(chǎng)。

這些融資中，高質(zhì)量的“碳化硅”襯底成為關(guān)鍵詞。上述投資人提到，碳化硅MOSFET價(jià)格相對(duì)較高，背后原因是碳化硅這一第三代半導(dǎo)體材料的襯底還沒有大量獲得。

《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者了解到，目前，一片6英寸的碳化硅晶圓價(jià)格在1000美元以上，是同尺寸硅晶圓價(jià)格的20倍以上。“之所以形成這樣的價(jià)格，源于碳化硅晶體生長(zhǎng)速度較慢，且生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)溫度和壓力的控制要求極高，導(dǎo)致生產(chǎn)成本高企。同時(shí)，生產(chǎn)工藝流程較為復(fù)雜，包括高純碳粉和硅粉的合成、晶體生長(zhǎng)、晶棒切割、研磨、拋光等等。”上述投資人稱。

6英寸碳化硅晶圓之外，發(fā)展8英寸碳化硅晶圓已是行業(yè)趨勢(shì)。相較于前者，8英寸襯底可以降低單位綜合成本約50%。但在生產(chǎn)上，僅有少數(shù)企業(yè)能夠大規(guī)模量產(chǎn)。

國(guó)內(nèi)企業(yè)中，爍科晶體、晶盛機(jī)電（300316）、天岳先進(jìn)（688234）、芯聯(lián)集成（688469）、青禾晶元、天科合達(dá)等處于送樣、小批量生產(chǎn)階段。其中，兩家上市天岳先進(jìn)（688234）、芯聯(lián)集成（688469）市值分別為240億元和325億元。

上述投資人對(duì)《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者表示，業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，2024年是碳化硅器件大量使用到新能源汽車車載逆變器的一年?！袄硐搿⑿∶?、蔚來(lái)等新勢(shì)力都在碳化硅上發(fā)力，雖然特斯拉宣布每輛車都將減少75%的碳化硅芯片使用量，但在市場(chǎng)需求量擴(kuò)大下，中國(guó)碳化硅生產(chǎn)企業(yè)仍有希望通過(guò)技術(shù)實(shí)現(xiàn)彎道超車?！?/p>

再回到北一半導(dǎo)體的融資上，B融資時(shí)，公司表示碳化硅模組研究已取得積極進(jìn)展；新一輪B+輪融資則將加大研發(fā)，通過(guò)提升碳化硅MOSFET的性能指標(biāo)和生產(chǎn)效率，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者注意到，北一半導(dǎo)體原有的IGBT業(yè)務(wù)由于技術(shù)成熟度高，以及成本較低，在許多應(yīng)用中仍是首選。據(jù)了解，北一半導(dǎo)體推出的IGBT模組產(chǎn)品已在頭部新能源汽車企業(yè)、光伏儲(chǔ)能、變頻家電及工業(yè)控制領(lǐng)域等頭部客戶中，實(shí)現(xiàn)批量使用。