《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》17日訊，在舊金山舉行的IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議 (IEDM) 上，全球晶圓代工巨頭臺(tái)積電公布了其備受矚目的2納米（N2）制程技術(shù)的更多細(xì)節(jié)。據(jù)介紹，相較于前代制程，N2制程在性能上提升了15%，功耗降低了高達(dá)30%，能效顯著提升。此外，得益于環(huán)繞式柵極（GAA）納米片晶體管和N2 NanoFlex技術(shù)的應(yīng)用，晶體管密度也提高了1.15倍。N2 NanoFlex技術(shù)允許制造商在最小的面積內(nèi)集成不同的邏輯單元，進(jìn)一步優(yōu)化了制程的性能。據(jù)悉，N2制程晶圓的價(jià)格將比3納米制程高出10%以上。