《科創(chuàng)板日報》12月18日訊（記者 陳俊清） 氮化鎵（GaN）芯片龍頭英諾賽科于今日（12月18日）起開始招股，中金公司、招銀國際為聯(lián)席保薦人。

公告顯示，英諾賽科擬全球發(fā)售4536.4萬股H股（占發(fā)行完成后總股份的5.16%，另有15%的超額配股權(quán)）。其中，中國香港發(fā)售股份453.64萬股，國際發(fā)售股份4082.76萬股。發(fā)售價將為每股發(fā)售股份30.86-33.66港元，最高募資15.27億港元，預(yù)期定價日為12月24日。

英諾賽科此次IPO招股引入4名基石投資者，按發(fā)售價32.26港元計算，合共認(rèn)購1億美元的發(fā)售股份。其中，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）通過STHK認(rèn)購5000萬美元；江蘇國企混改基金認(rèn)購2500萬美元；東方創(chuàng)聯(lián)、蘇州高端裝備分別認(rèn)購1250萬美元。

資金使用方面，英諾賽科擬將所得款項凈額中，約60%用作擴(kuò)大8英吋氮化鎵晶圓產(chǎn)能、購買及升級生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器以及招聘生產(chǎn)人員；約20%用于研發(fā)及擴(kuò)大產(chǎn)品組合，以提高終端市場中氮化鎵產(chǎn)品的滲透率；約10%用于擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò)；約10%用于營運(yùn)資金及其他一般企業(yè)用途。

近三年半累計虧損近72億元

招股書顯示，英諾賽科致力于氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。據(jù)介紹，該公司是全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，亦是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司。

根據(jù)弗若斯特沙利文的資料，按2023年收入計，英諾賽科在全球功率半導(dǎo)體行業(yè)的市場份額為0.2%，在中國功率半導(dǎo)體行業(yè)的市場份額為0.4%。該公司于2023年在全球所有氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中排名第一，市場份額33.7%。

產(chǎn)能方面，英諾賽科已采用集成器件制造商（IDM）模式，借此可自行把控由制成品設(shè)計、制造、包裝、測試到銷售的流程。截至2024年6月30日，該公司擁有全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，產(chǎn)能達(dá)到每月12,500片晶圓。截至2024年6月30日，以折算氮化鎵分立器件計，其累計出貨量超過8.5億顆。

雖在市占率上有著優(yōu)秀表現(xiàn)，但英諾賽科的虧損狀況不容樂觀。招股書顯示，該公司2021年至2024上半年，其營收分別為6821.5萬元、1.36億元、5.93億元和3.86億元，同期虧損分別為34億元、22億元、11億元和4.88億元。近三年半累計虧損近72億元。

對于業(yè)績虧損的原因，英諾賽科解釋稱，主要是由于生產(chǎn)設(shè)備在實(shí)現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)前大幅折舊、確認(rèn)的大額研發(fā)開支以及不斷增加的銷售及營銷開支。

從開支方面看，英諾賽科研發(fā)開支占比最高，但近年整體呈下滑趨勢。2021年至2023年，該公司的研發(fā)開支分別占經(jīng)營開支的76.1%、68.4%及50.8%。

公告顯示，截至最后實(shí)際可行日期，英諾賽科在全球有406項專利及387項專利申請，涵蓋芯片設(shè)計、器件結(jié)構(gòu)、晶圓制造、封裝及可靠性測試等關(guān)鍵領(lǐng)域。該公司的氮化鎵分立器件用于各種低中高壓應(yīng)用場景，產(chǎn)品研發(fā)范圍覆蓋15V至1,200V。

截至2024年6月末，該公司持有的現(xiàn)金及現(xiàn)金等價物為4.6億元。相比之下，英諾賽科截至2023年6月末的現(xiàn)金及現(xiàn)金等價物約為7.9億元，現(xiàn)金消耗速度較快。

另外，英諾賽科2021年、2022年和2023年的經(jīng)營活動所用現(xiàn)金凈額分別約為5.62億元、9.36億元和5.94億元。2024年上半年，該公司經(jīng)營活動所用現(xiàn)金凈額則為1.55億元，較2023年同期的2.41億元略有收窄。

招銀、聯(lián)想之星等投了

值得注意的是，英諾賽科于2024年6月遞交招股書，預(yù)計2024年12月30日在港交所掛牌上市。

成立至今，英諾賽科獲得了多輪融資，投資方包括招銀、聯(lián)想之星等。據(jù)招股書披露，英諾賽科于2018年4月完成了5500萬元的新一輪融資，隨后又相繼完成15億元B輪融資、14億元C輪融資、26億元D輪融資、6.5億元E輪融資，合計約62億元。

據(jù)英諾賽科官網(wǎng)資料，其投資者包括招銀國際、韓企SK集團(tuán)、Arm、寧德時代等投資方。

根據(jù)招股公告顯示，英諾賽科其他投資者還包括東方國資、珠海高新投、華業(yè)天成資本、中平資本、國民創(chuàng)投、鈦信資本、永剛集團(tuán)、毅達(dá)資本、仕富資本、中天匯富、盛裕資本、富坤創(chuàng)投、高鵬資本、金地投資、東科半導(dǎo)體、賽領(lǐng)資本、興湘集團(tuán)、海富產(chǎn)業(yè)基金、海通創(chuàng)新證券、中國-比利時直接股權(quán)投資基金等。

從現(xiàn)有的股權(quán)架構(gòu)來看，英諾賽科的創(chuàng)始人駱薇薇間接持有英諾賽科23.1%的股權(quán)。同時，她還擁有同為美國國籍的執(zhí)行董事Jay Hyung Son的部分投票權(quán)，所以駱薇薇合計控制英諾賽科34.48%的投票權(quán)，為公司實(shí)際控制人。

駱薇薇有著新西蘭梅西大學(xué)應(yīng)用數(shù)學(xué)博士學(xué)位，為美國國籍。1999年加入美國宇航局（NASA）旗下研究院，15年后從高級項目經(jīng)理做到首席科學(xué)家。在2015年，她回國創(chuàng)立了英諾賽科。

招股書顯示，英諾賽科在上市后的股東架構(gòu)中，駱薇薇直接持股5.60%；Jay Hyung Son持股5.19%；駱薇薇、Son各擁有55.4%、44.6%的Inno Holding，持股9.78%。