財聯(lián)社1月16日電，英諾賽科公告，公司及公司全資附屬公司英諾賽科（蘇州）半導體有限公司（統(tǒng)稱原告）已向中國江蘇省蘇州市中級人民法院起訴英飛凌科技（中國）有限公司（被告一）、英飛凌科技（無錫）有限公司（被告二）及蘇州芯沃科電子科技有限公司（被告三），就202311774650.7號專利提交起訴狀《(2024)蘇05民初1430號》及就202211387983.X號專利提交起訴狀《(2024)蘇05民初1431號》。英諾蘇州為202311774650.7號及202211387983.X號專利的專利權人，公司已就涉案專利獲得英諾蘇州許可。涉案專利分別涉及一種氮化鎵(GaN)功率器件及其制備方法，以及一種氮化物基半導體器件及其制造方法。根據(jù)起訴狀，被告二是被告一的全資控股子公司，并為英飛凌中文網(wǎng)站的備案主體。該網(wǎng)站向中國的潛在客戶展示、宣傳及許諾銷售多種型號的氮化鎵(GaN)半導體器件；被告一是涉案侵權產品的進口商和總經(jīng)銷商；根據(jù)英飛凌中文網(wǎng)站，被告三是被告一、被告二于中國的增值分銷商。經(jīng)技術比對，原告認為涉案侵權產品落入涉案專利的保護范圍，三被告未經(jīng)原告允許實施了許諾銷售、銷售、進口涉案侵權產品的行為，構成對涉案專利的侵害，依法應當承擔相應的法律責任，包括停止侵權行為及承擔賠償責任。