《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》5月6日訊 TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷今日表示，今年第二季已開始針對(duì)2025年HBM進(jìn)行議價(jià)，不過受限于DRAM總產(chǎn)能有限，為避免產(chǎn)能排擠效應(yīng)，供應(yīng)商已經(jīng)初步調(diào)漲5%-10%，包含HBM2e，HBM3與HBM3e。

對(duì)于議價(jià)時(shí)間提前到今年二季度，集邦咨詢表示其原因包括：一是因?yàn)?strong>HBM買方對(duì)AI需求展望仍具高度信心，愿意接受價(jià)格續(xù)漲；二是因?yàn)镠BM3e的TSV良率目前僅約40%-60%，因此買方愿意接受漲價(jià)以鎖定質(zhì)量穩(wěn)定的貨源；三是因?yàn)槲磥?lái)HBM每Gb單價(jià)可能因DRAM供應(yīng)商的可靠度，以及供應(yīng)能力產(chǎn)生價(jià)差，對(duì)于供應(yīng)商而言，未來(lái)平均銷售單價(jià)將會(huì)因此出現(xiàn)差異，并進(jìn)一步影響獲利。

毫無(wú)疑問，AI熱度的攀升導(dǎo)致HBM產(chǎn)銷走俏。在近日的媒體招待會(huì)上，HBM龍頭企業(yè)SK海力士CEO表示，公司按量產(chǎn)計(jì)劃2025年生產(chǎn)的HBM產(chǎn)品基本售罄，主要由于AI爆發(fā)對(duì)先進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)品HBM的需求。此前，公司宣布其2024年HBM的產(chǎn)能已被客戶搶購(gòu)一空。

另一存儲(chǔ)巨頭三星電子也在緊鑼密鼓的推進(jìn)HBM3e的量產(chǎn)。公司4月30日表示，目前正供應(yīng)12層堆疊HBM3E內(nèi)存——36GB HBM3E 12H DRAM樣品，計(jì)劃今年二季度量產(chǎn)，其8層堆疊的HBM3 8H已開始初步量產(chǎn)。SK海力士的12層堆疊HBM3e內(nèi)存也有望于三季度完成。

整體行業(yè)規(guī)模方面，SK海力士認(rèn)為，目前像HBM和高容量DRAM模塊等面向AI的存儲(chǔ)器在2023年整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)的占比約為5%，預(yù)計(jì)到2028年可以達(dá)到61%。

集邦咨詢也預(yù)計(jì)2023年-2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均將大幅向上。產(chǎn)能方面，2023年至2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機(jī)會(huì)逾三成。

中信證券在近期研報(bào)中指出，預(yù)計(jì)2024年、2025年全球HBM容量需求年化增長(zhǎng)超100%，占DRAM總?cè)萘啃枨髮?023年的不足1%增長(zhǎng)至超5%。國(guó)內(nèi)方面，機(jī)構(gòu)認(rèn)為后續(xù)在本土高端封測(cè)廠商和設(shè)備廠商的配合下，國(guó)內(nèi)DRAM存儲(chǔ)原廠有望跟進(jìn)HBM產(chǎn)品，對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)生增量需求。綜合來(lái)看，在需求與疊加技術(shù)創(chuàng)新周期的雙重疊加下，HBM原廠、先進(jìn)封裝、半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料等環(huán)節(jié)公司均有望持續(xù)受益。