HBM
1.03W關(guān)注
HBM是一種基于3D堆疊工藝的dram內(nèi)存芯片，由多層dram堆疊
全部?jī)?nèi)容
2024-08-29 13:55
【集邦咨詢：2024年上半年存儲(chǔ)器現(xiàn)貨市場(chǎng)調(diào)整 預(yù)計(jì)下半年價(jià)格將面臨壓力】財(cái)聯(lián)社8月29日電，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，存儲(chǔ)器模組廠從2023年第三季后開(kāi)始積極增加DRAM（內(nèi)存）庫(kù)存，到2024年第二季庫(kù)存水位已上升至11-17周。然而，消費(fèi)電子需求未如預(yù)期回溫，如智能手機(jī)領(lǐng)域已出現(xiàn)整機(jī)庫(kù)存過(guò)高的情況，筆電市場(chǎng)也因?yàn)橄M(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購(gòu)買，市場(chǎng)繼續(xù)萎縮。這種情況下，以消費(fèi)產(chǎn)品為主的存儲(chǔ)器現(xiàn)貨價(jià)格開(kāi)始走弱，第二季價(jià)格較第一季下跌超過(guò)30%。盡管現(xiàn)貨價(jià)至八月份仍與合約價(jià)脫鉤，但也暗示合約價(jià)的潛在趨勢(shì)。TrendForce集邦咨詢表示，2024年第二季模組廠在消費(fèi)類NAND Flash（閃存）零售渠道的出貨量已大幅年減40%，反映出全球消費(fèi)性存儲(chǔ)器市場(chǎng)正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但今年上半年的出貨下滑明顯超出市場(chǎng)預(yù)期，這預(yù)示著下半年的需求不會(huì)大幅回溫。目前還未明確觀察到AI手機(jī)或AI PC在接下來(lái)幾季能有合理的應(yīng)用出現(xiàn)，即使?jié)B透率因平臺(tái)商推廣而有所提高，也難以帶起全面換機(jī)潮，因此無(wú)法帶動(dòng)DRAM價(jià)格。從2025年的情況來(lái)看，雖然預(yù)期DRAM價(jià)格會(huì)逐季上揚(yáng)，但原因是HBM3e滲透率持續(xù)提升拉高均價(jià)，以及供給端缺乏新產(chǎn)能而有所限制。如果消費(fèi)性需求持續(xù)疲軟，DRAM價(jià)格上漲的幅度將低于預(yù)期。
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2024-08-28 14:24 來(lái)自 科創(chuàng)板日?qǐng)?bào) 朱凌
①Cerebras基于其自己的芯片計(jì)算系統(tǒng)發(fā)布了號(hào)稱世界上速度最快的AI推理服務(wù)；
②Cerebras將內(nèi)存直接內(nèi)置在巨大的芯片中，從而擁有巨大的片上內(nèi)存和極高的內(nèi)存帶寬。
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