財聯(lián)社5月22日電，東風汽車消息，東風與中車合作在武漢成立智新半導體，開展自主攻關，研發(fā)生產車規(guī)級的IGBT模塊，并順利實現(xiàn)了IGBT產品量產，一期產能30萬只，主要生產400V硅基IGBT模塊，與國外產品相比，價格降低50%，實現(xiàn)了國產IGBT模塊從無到有的突破。智新半導體第二條生產線今年4月已經(jīng)投用，規(guī)劃產能40萬只，兼容生產400V硅基IGBT模塊和800V碳化硅模塊，產線的國產化率達到70%，預計7月批量投產，10月大批量投用。此外，智新半導體正規(guī)劃第三條生產線，規(guī)劃年產能50萬只，到2025年，智新半導體將達到總產能120萬只IGBT模塊，全力支撐“十四五”東風公司100萬輛新能源車的銷量目標。