近日，全球第二大內(nèi)存芯片制造商SK海力士表示，已決定投資約9.4萬億韓元(約合493.4億人民幣)在韓國龍仁市建設(shè)當(dāng)?shù)氐谝患倚酒S。按照計(jì)劃，SK海力士將于明年3月開工建設(shè)龍仁集群的首座廠房，并于2027年5月竣工。

華鑫證券毛正分析指出，隨著人工智能的興起，對高算力和帶寬的需求推動(dòng)了存儲(chǔ)的發(fā)展。相較于傳統(tǒng)的DRAM，HBM技術(shù)采用垂直堆疊DDR芯片與GPU封裝實(shí)現(xiàn)高帶寬、低延遲和低功耗，突破了傳統(tǒng)內(nèi)存的限制，適應(yīng)AI時(shí)代的新需求。目前全球市場由海力士、三星和美光主導(dǎo)，中國廠商也在積極推進(jìn)HBM國產(chǎn)化，市場供需缺口仍持續(xù)擴(kuò)大，DRAM漲價(jià)周期疊加AI驅(qū)動(dòng)下，HBM價(jià)格預(yù)計(jì)繼續(xù)上漲，市場規(guī)模預(yù)計(jì)在2024年達(dá)到約70億美金。值得一提的是，今年5月，SK海力士社長KwakNoh-Jung透露，今年SK海力士的HBM芯片已經(jīng)售罄，同時(shí)，2025年的HBM芯片也幾乎已經(jīng)全部預(yù)定。

據(jù)財(cái)聯(lián)社主題庫顯示，相關(guān)上市公司中：

通富微電是國際領(lǐng)先封測龍頭，在全球擁有七大生產(chǎn)基地。公司表示，將保持對HBM技術(shù)的持續(xù)關(guān)注，并積極開展相關(guān)的研發(fā)布局等前期工作。

長電科技推出的XDFOI高性能封裝技術(shù)平臺(tái)可以支持HBM的封裝要求。